At the time when many important political events and evolutions took place, the cinema has been pretty active, and witnessed the historical events before and after the two world wars and the cold war. During the first half of the 20th century, the cinema had great interest from the major countries and their politicians, as well as the commercial turnout of large companies to invest in that field for the profits. In the beginning of the 20th century, the major powers like the Soviet Union, the United States, Germany, Italy, England, and France started to compete in the development of their film industry and the investment of the new medium and the transformation of some famous works of fiction into films that perpetuate their cultural and intellectual heritage, But it went beyond the creative, literary and artistic aspects of the film industry when these countries began to have direct control and provide government support to their film companies to encourage them to produce films dealing with issues that are consistent with the nature of the stage and political trends prevailing in the meantime. Going back to the 20s and 30s of the 20th century, we can find several statements by politicians such as Lenin, Mussolini, Hitler and Goebbels persisting on the importance of cinema and control of its industry, and to point out to the danger of the emerging means in the fields of politics, propaganda and media.
إدارة المخاطر في الوحدات الإقتصادية الصناعية بإستعمال مخطط باريتو
يُعد الذكاء الاصطناعي من العلوم الحديثة التي ارتبطت بالإنسان منذ العقود الخمسة الماضية، وأصبحت السياسة الرقمية جزءاً لا يتجزأ من المجتمع لكونها تُستعمل في أغلب مجالات حياة الإنسان. وهذا ما شجع صانعي السياسات التكنولوجية الجديدة في التفكير بكيفية توظيفه لخدمة مصالحهم العليا السياسية والاقتصادية، بغض النظر عن بذل الجهود للتفكير في تنظيمهم للذكاء الاصطناعي التوليدي، ووضع قيود تراعي التشريعات الدينية، وقوا
... Show Moreتُعد فكرة الذكاء الاصطناعي من العلوم الحديثة التي ارتبطت بالإنسان منذ العقود الخمسة الماضية، وأصبحت السياسة الرقمية جزءاً لا يتجزأ من المجتمع لكونها تُستخدم في أغلب مجالات حياة الانسان. وهذا ما شجع صانعوا السياسات التكنولوجية الجديدة في التفكير بكيفية توظيفها لخدمة مصالحهم العليا السياسية والعسكرية، للتعزيز من قوتهم ونفوذهم، وغاضين النظر عن بذل الجهود للتفكير في تنظيمهم للذكاء الاصطناعي التوليدي، ووضعه
... Show Moreيعد الذكاء الاصطناعي من العلوم الحديثة التي ارتبطت بالإنسان منذ العقود الخمسة الماضية، ولتصبح السياسة الرقمية الاقتصادية جزءاً لا يتجزأ من المجتمع، لكونها خرقت أغلب مجالات حياة الانسان. وهذا ما شجع صانعوا السياسات التكنولوجية الجديدة في التفكير بكيفية توظيفه لخدمة مصالحهم الاقتصادية العُليا، بغض النظر عن بذل الجهود للتفكير في مصالح الانسان الاقتصادية وتنظيمهم ومراقبة الذكاء الاصطناعي التوليدي. لقد أيقن
... Show Moreبرزت الشخصانية في حقبة تاريخية كان فيها العالم و اوربا وفرنسا تشهد انتهاء حقبة حضارية امتدت من نهاية القرون الوسطى حتى اوائل القرن العشرين تميزت بكونها رأسمالية التركيب، ليبرالية المنهج، وبرجوازية القيم، جاءت الشخصانية ليس فقط محاولة للإجابة عن حقبة جديدة ولادة حضارة جديدة لاتزال غامضة المعالم فحسب انما ايضا كرد على المدرسة الماركسية المادية والوجودية الملحدة محددة هدفها الابعد بإعادة صنع النهضة
Thermal evaporation method has used for depositing CdTe films
on corning glass slides under vacuum of about 10-5mbar. The
thicknesses of the prepared films are400 and 1000 nm. The prepared
films annealed at 573 K. The structural of CdTe powder and prepared
films investigated. The hopping and thermal energies of as deposited
and annealed CdTe films studied as a function of thickness. A
polycrystalline structure observed for CdTe powder and prepared
films. All prepared films are p-type semiconductor. The hopping
energy decreased as thickness increased, while thermal energy
increased.
The effect of high energy radiation on the energy gap of compound semiconductor Silicon Carbide (SiC) are viewed. Emphasis is placed on those effects which can be interpreted in terms of energy levels. The goal is to develop semiconductors operating at high temperature with low energy gaps by induced permanent damage in SiC irradiated by gamma source. TEACO2 laser used for producing SiC thin films. Spectrophotometer lambda - UV, Visible instrument is used to determine energy gap (Eg). Co-60, Cs-137, and Sr-90 are used to irradiate SiC samples for different time of irradiation. Possible interpretation of the changing in Eg values as the time of irradiation change is discussed
A nanocrystalline thin films of PbS with different thickness (400, 600)nm have been prepared successfully by chemical bath deposition technique on glass and Si substrates. The structure and morphology of these films were studied by X-ray diffraction and atomic force microscope. It shows that the structure is polycrystalline and the average crystallite size has been measured. The electrical properties of these films have been studied, it was observed that D.C conductivity at room temperature increases with the increase of thickness, From Hall measurements the conductivity for all samples of PbS films is p-type. Carrier's concentration, mobility and drift velocity increases with increasing of thickness. Also p-PbS/n-Si heterojunction has been
... Show More